AkaiKKRでB(N)-dopedダイヤモンド

AkaiKKR(machikaneyama)のコヒーレントポテンシャル近似(CPA)を用いて、ホウ素や窒素をドープしたダイヤモンドの電子構造を計算しました。
得られた状態密度は、状態密度の形状が変わらず、フェルミ準位の位置が変わるだけであるという、リジッドバンド模型でよく近似できることが分かりました。

diamond_201603202355181f7.png
Fig.1: ダイヤモンド(赤)、ホウ素ドープダイヤモンド(緑)、窒素ドープダイヤモンド(青)の状態密度



ホウ素(窒素)ドープダイヤモンド


AkaiKKRでダイヤモンド型構造半導体で計算したとおり、ダイヤモンドは大きなバンドギャップを持つ半導体(あるいは絶縁体)です。しかしながらダイヤモンドを構成する炭素原子の一部(5%程度)をホウ素や窒素に置き換えると、金属的なフェルミ準位に有限の状態を持つ電子構造になります。AkaiKKR(machikaneyama)を用いたバンド計算は、すでにKobashi (2014a), Kobashi (2014b)によって行われています。今回は、同様の計算を行ってみます。

計算手法


AkaiKKRを用いて、炭素原子の5%をホウ素、または、窒素に置き換えた結晶の状態密度を計算しました。これまでの計算と比較して特筆すべきテクニックは特にありませんが、バンドギャップの過小評価をできるだけ避けるために、空孔を入れて、原子球近似(ASA)を用いました。また、格子定数は不純物のドープに対して変化しないと仮定して a = 6.74 Bohr としました。
置換不純物は、コヒーレントポテンシャル近似(CPA)を用いて計算しました。

c------------------------------------------------------------
go data/B-doped
c------------------------------------------------------------
c brvtyp a c/a b/a alpha beta gamma
fcc 6.74 , , , , , ,
c------------------------------------------------------------
c edelt ewidth reltyp sdftyp magtyp record
0.001 2.0 sra vwnasa nmag 2nd
c------------------------------------------------------------
c outtyp bzqlty maxitr pmix
update 8 200 0.02
c------------------------------------------------------------
c ntyp
2
c------------------------------------------------------------
c type ncmp rmt field mxl anclr conc
C 2 1 0.0 2 6 95
5 5
Vc 1 1 0.0 2 0 100
c------------------------------------------------------------
c natm
4
c------------------------------------------------------------
c atmicx atmtyp
0.00000 0.00000 0.00000 C
0.25000 0.25000 0.25000 C
0.75000 0.75000 0.75000 Vc
0.50000 0.50000 0.50000 Vc
c------------------------------------------------------------

c------------------------------------------------------------
dos data/B-doped
c------------------------------------------------------------
c brvtyp a c/a b/a alpha beta gamma
fcc 6.74 , , , , , ,
c------------------------------------------------------------
c edelt ewidth reltyp sdftyp magtyp record
0.001 2.67 sra vwnasa nmag 2nd
c------------------------------------------------------------
c outtyp bzqlty maxitr pmix
update 20 200 0.02
c------------------------------------------------------------
c ntyp
2
c------------------------------------------------------------
c type ncmp rmt field mxl anclr conc
C 2 1 0.0 2 6 95
5 5
Vc 1 1 0.0 2 0 100
c------------------------------------------------------------
c natm
4
c------------------------------------------------------------
c atmicx atmtyp
0.00000 0.00000 0.00000 C
0.25000 0.25000 0.25000 C
0.75000 0.75000 0.75000 Vc
0.50000 0.50000 0.50000 Vc
c------------------------------------------------------------


結果


結果をFig.1に示します。
赤で示したのが通常のダイヤモンドの状態密度です。フェルミ準位はバンドギャップの中にあります。緑と青で示したのが、それぞれホウ素と窒素を5%置換したダイヤモンドの状態密度です。これらは、状態密度の形状がほとんど変化せず、フェルミ準位の位置がずれているだけだと分かります。
これは、ホウ素(窒素)は、炭素と比べてか電子の数が1個少ない(多い)からです。半導体では、このように不純物をドープした際にバンド構造がほとんど変わらず、価電子数の差に応じてフェルミ準位が変化するだけという事が多いようです。

関連エントリ




参考URL




参考文献/使用機器




フィードバック



にほんブログ村 その他趣味ブログ 電子工作へ

 ↑ 電子工作ブログランキング参加中です。1クリックお願いします。


コメント・トラックバックも歓迎です。 ↓      


 ↓ この記事が面白かった方は「拍手」をお願いします。


tag: AkaiKKR machikaneyama KKR CPA 状態密度 DOS 半導体 

comment

Secret

FC2カウンター
カテゴリ
ユーザータグ

LTspiceAkaiKKRmachikaneyamaScilabKKRPSoC強磁性CPAPICOPアンプecalj状態密度常微分方程式モンテカルロ解析トランジスタodeDOSインターフェーススイッチング回路定電流PDS5022分散関係半導体シェルスクリプト乱数レベルシフトHP6632A温度解析ブレッドボード可変抵抗I2Cトランジスタ技術R6452A確率論バンド構造セミナーバンドギャップ反強磁性数値積分熱設計絶縁非線形方程式ソルバ偏微分方程式PWscfA/Dコンバータマフィンティン半径フォトカプラカオスISO-I2CGW近似LM358LEDシュミットトリガ三端子レギュレータ74HC4053アナログスイッチUSBサーボ数値微分直流動作点解析補間カレントミラーTL431PC817C発振回路FFT電子負荷VESTA開発環境量子力学単振り子bzqlty基本並進ベクトル2ちゃんねるチョッパアンプ標準ロジックパラメトリック解析アセンブラブラべ格子BSchQuantumESPRESSOイジング模型LDA状態方程式GGA仮想結晶近似VCA熱伝導SMPスイッチト・キャパシタキュリー温度Quantum_ESPRESSOスーパーリーグTLP621トレーナーバトルewidth最適化Maxima抵抗失敗談相対論コバルト繰り返し位相図六方最密充填構造ポケモンGOスピン軌道相互作用gfortranランダムウォークFETスレーターポーリング曲線cygwinQSGW不規則合金ラプラス方程式MCU条件分岐データロガーマントルUPS固有値問題格子比熱シュレディンガー方程式熱力学詰め回路ガイガー管QNAP井戸型ポテンシャルダイヤモンドOpenMPTLP521ハーフメタルLM555ubuntu平均場近似ブラウン運動フェルミ面NE555ZnOゼーベック係数TLP552xcrysdenCIF最小値最大値awkfsolveテスタ第一原理計算Ubuntu差し込みグラフFXA-7020ZR三角波過渡解析Writer509自動計測スーパーセル起電力トランスCK1026MAS830LフィルタPGAP-10MBEOPA2277ナイキスト線図ノコギリ波AACircuitEAGLE2SC1815PIC16F785LMC662CapSense負帰還安定性入出力固定スピンモーメントFSMTeX結晶磁気異方性全エネルギーc/a合金multiplotgnuplot非線型方程式ソルバL10構造正規分布等高線ジバニャン方程式初期値interp1fcc面心立方構造ウィグナーザイツ胞半金属デバイ模型磁気モーメント電荷密度重積分SIC不純物問題擬ポテンシャル状態図cif2cellPWgui二相共存ウルツ鉱構造edeltquantumESPRESSOフォノンリジッドバンド模型スワップ領域BaO岩塩構造ルチル構造ヒストグラム確率論マテリアルデザインフラクタルマンデルブロ集合キーボードRealforceクーロン散乱三次元疎行列縮退化学反応関数フィッティング最小二乗法Excel直流解析PCTS-110TS-112日本語パラメータ・モデル等価回路モデル文字列不規則局所モーメント陰解法熱拡散方程式HiLAPWCrank-Nicolson法連立一次方程式specx.fifort境界条件両対数グラフ片対数グラフGimp円周率ヒストグラムシンボル線種グラフの分割軸ラベル凡例トラックボール

最新コメント
リンク

にほんブログ村 その他趣味ブログ 電子工作へ