更新(BlogSlave)

きょうgomisaiは更新したかったみたい。

*このエントリは、ブログドレイの「gomisai」が書きました。

PSoC日本語データシートの印刷

以前PSoC日本語データシートを印刷しようとしたときに、フォントが無いようなエラーが出て途中から印刷できないことがありました。

そのときには
[印刷]-[詳細設定]-[画像として印刷]
として無理やり印刷できたのですが、その設定をそのまま変更せずに忘れていました。

数十ページ程度のPDFを印刷するときには、大して気にならないのですが、今日400ページ以上あるソフトウェアのマニュアルをとりあえず印刷しようとしたら、ものすごく重くて泣きそうになりました。

tag: PSoC 

PSoCのキャンペーン品が届きました。

6月14日にPSoC FTKを買って応募したチップがもらえるキャンペーンのPSoCが届きました。

結構しっかり包装がされてました。




なかに入ってた紙は、こんな感じ。








CY3210-PSoCEval1を秋月で扱うらしいですよ?

星に願いを。

七夕過ぎちゃいましたけど・・・

今年も去年と同様に近所のスーパーマーケットに用意されていた笹飾りに願い事をしてきましたよ。内容はシンプルに「いんし・そつろん」だけ書きました。

他の人はどんな願い事をしてたのでしょうか。興味があったので眺めていました。「健康」「イベントの成功」「安全祈願」さざまざです。大学生が多い場所だけあって、勉強やサークルに関連する願い事も多かったです。

でも一番目を引いた願い事は・・・

早くお父さんの仕事が見つかりますように。

皆さんの願い事、かなうといいですね。

BSch3V用ボディダイオード付きMOSFETシンボル/トランジスタのシンボルについてる○の意味

FETを用いたUSB機器の電池/Vbus切り替え回路などの記事につかったボディダイオードのシンボルも描かれたMOSFETシンボルを公開します。




この記事の一番下の引用部分をテキストエディタで適当な名前(例えばMOSFET.LB3など)で保存すれば普通のライブラリファイルとして使えます。ただしビットパターンは含んでいません。

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これだけでは、さびしいので豆知識を一つ。
トランジスタやFETのシンボルには周りを○で囲ってあるものと無いものがあります。
この○は、パッケージを表しているんだとか。したがってボディダイオードを表現するためには、ダイオードの記号をパッケージをあらわす○の中に書かなければいけません。

では、○の無いトランジスタの記号はどのようなときに使うのでしょうか?
答えは、IC等のパッケージ内部に複数のトランジスタを含む回路図を書くときです。SPICEはもともとICを設計するために作られたソフトです。LTspiceのトランジスタのシンボルに○が付いたものが存在しないのは、おそらくこのことに起因するのでしょう。

この話はダイオードにも当てはまるのではないかと思うのですが、なぜかダイオードは○に囲まれたものをあまり見ません。○で囲まれているダイオードは何故かたいていの場合LEDです。不思議ですね。

とはいえ、趣味の電子工作レベルでは、このようなことはあまり気にせずに回路図を書いてしまう場合が多いです。とくに手書きで回路図を書くときは、○で囲むとかめんどくさいですしね。

MOSFET.LIB3
+BSCH3_LIB_V.1.0PROP:+PTN,N:MOSFET-NCH,X:61,Y:61+C,W:1,S:0,F:-1,X:0,Y:0,X:60,Y:60,-C+L,W:1,S:0,X:30,Y:30,X:30,Y:60,-L+L,W:1,S:0,X:30,Y:30,X:21,Y:30,-L+PG,W:1,S:0,F:1,N:3,X:45,Y:27,X:41,Y:33,X:49,Y:33,-PG+PG,W:1,S:0,F:-1,N:4,X:41,Y:27,X:49,Y:27,X:49,Y:26,X:41,Y:26,-PG+PG,W:1,S:0,F:1,N:3,X:17,Y:30,X:24,Y:27,X:24,Y:33,-PG+PG,W:1,S:0,F:1,N:4,X:9,Y:20,X:10,Y:20,X:10,Y:40,X:9,Y:40,-PG+L,W:1,S:0,X:0,Y:30,X:9,Y:30,-L+PG,W:1,S:0,F:-1,N:4,X:15,Y:26,X:15,Y:34,X:16,Y:34,X:16,Y:26,-PG+PG,W:1,S:0,F:-1,N:4,X:15,Y:39,X:15,Y:47,X:16,Y:47,X:16,Y:39,-PG+PG,W:1,S:0,F:-1,N:4,X:15,Y:13,X:15,Y:21,X:16,Y:21,X:16,Y:13,-PG+L,W:1,S:0,X:30,Y:43,X:17,Y:43,-L+L,W:1,S:0,X:30,Y:17,X:17,Y:17,-L+L,W:1,S:0,X:30,Y:0,X:30,Y:17,-L+L,W:1,S:0,X:30,Y:10,X:45,Y:10,-L+L,W:1,S:0,X:45,Y:50,X:30,Y:50,-L+L,W:1,S:0,X:45,Y:10,X:45,Y:50,-L-PTN+COMP,N:MOSFET-NCHX:6,Y:6,B:1R:QP:MOSFET-NCH+PIN,N:,L:T3,T:Sm,M:D,-PIN+PIN,N:,L:B3,T:Sm,M:S,-PIN+PIN,N:,L:L3,T:Sm,M:G,-PINNOTE:,-COMP+PTN,N:MOSFET-PCH,X:61,Y:61+C,W:1,S:0,F:-1,X:0,Y:0,X:60,Y:60,-C+L,W:1,S:0,X:30,Y:30,X:30,Y:60,-L+PG,W:1,S:0,F:1,N:4,X:9,Y:20,X:10,Y:20,X:10,Y:40,X:9,Y:40,-PG+L,W:1,S:0,X:0,Y:30,X:9,Y:30,-L+PG,W:1,S:0,F:-1,N:4,X:15,Y:26,X:15,Y:34,X:16,Y:34,X:16,Y:26,-PG+PG,W:1,S:0,F:-1,N:4,X:15,Y:39,X:15,Y:47,X:16,Y:47,X:16,Y:39,-PG+PG,W:1,S:0,F:-1,N:4,X:15,Y:13,X:15,Y:21,X:16,Y:21,X:16,Y:13,-PG+L,W:1,S:0,X:30,Y:43,X:17,Y:43,-L+L,W:1,S:0,X:30,Y:17,X:17,Y:17,-L+L,W:1,S:0,X:30,Y:0,X:30,Y:17,-L+L,W:1,S:0,X:30,Y:10,X:45,Y:10,-L+L,W:1,S:0,X:45,Y:50,X:30,Y:50,-L+L,W:1,S:0,X:45,Y:10,X:45,Y:50,-L+L,W:1,S:0,X:25,Y:30,X:16,Y:30,-L+PG,W:1,S:0,F:1,N:3,X:30,Y:30,X:23,Y:33,X:23,Y:27,-PG+PG,W:1,S:0,F:1,N:3,X:45,Y:32,X:49,Y:26,X:41,Y:26,-PG+PG,W:1,S:0,F:-1,N:4,X:49,Y:32,X:41,Y:32,X:41,Y:33,X:49,Y:33,-PG-PTN+COMP,N:MOSFET-PCHX:6,Y:6,B:1R:QP:MOSFET-PCH+PIN,N:,L:T3,T:Sm,M:D,-PIN+PIN,N:,L:B3,T:Sm,M:S,-PIN+PIN,N:,L:L3,T:Sm,M:G,-PINNOTE:,-COMP-BSCH3_LIB_V.1.0

tag: BSch トランジスタ FET 

異なる電圧レベル間でI2C その2

異なる電圧レベル間でI2Cコメント欄にてhatoさんにN-ch MOSFETを使う方法を紹介していただきました。

前のFETを用いたUSB機器の電池/Vbus切り替え回路の記事ではP-ch MOSFETを同じ理屈で使った回路を紹介しました。
今回は、異なる電圧レベル間でI2Cのバイポーラトランジスタを用いたI2Cレベルシフト回路とコメント欄で紹介していただいたNch MOSFETを使った回路をLTspiceでシミュレーションしてみました。

まずはバイポーラトランジスタを用いた方。




トランジスタのシミュレーションモデルは、数理設計研究所のSPICE MODEL LIBRARYの2SC1815を使いました。
I2C機器の側のモデルは、代わりにスリーステート出力の74HC125モデルを使いました。これはYahoo! Tech Groups - LTspice/SwitcherCAD IIIで公開されているものです。

入力クロックは400kHzで、5V側から入力する場合をシミュレーションしました。






3.3Vラインに大きなアンダーシュートが起きていますが、1pFのコンデンサを入れるときれいになります。






特に対策をしなくても1pFぐらいはICの端子の寄生容量として存在するので、実際の波形はおそらくきれいになると思います。

次にMOSFETの方。




NMOSのモデルは、何を使っていいのか分からなかったのでLTspice付属のBSS123を使いました。サイエンス・アイ新書 電子回路の基礎のキソ準拠ということで・・・






こちらも希望どおりの動作をしています。

これら二つの回路は、形こそよく似ていますが実は結構違う回路です。(これは微妙な言い回しですね・・・)
バイポーラトランジスタ版の回路は、ベースに対してエミッタとコレクタが対称な動作をしています。
これに対してMOSFET版の回路は、あくまでQ1がONするのはゲート-ソース間電圧がしきい値に達するからです。5V側(ドレイン側)を制御したときにもMOSFETがONするのはボディダイオードを通じてソースの電位が下がるためです。

このためバイポーラ版の回路は、コレクタとエミッタを入れ替えても動作します。エミッタを低電圧側にしているのはエミッタ-ベース間の耐圧が低いためです。
これに対して、MOSFET版はソースとドレインを入れ替えると動作しません。5Vから3.3Vへボディダイオードを通じて電流が流れてしまうからです。

さてシミュレーション結果からはどちらも問題なく動作していますが、バイポーラトランジスタ版の方はリバースhFE(βR)が気になるのでMOSFET版の方がオススメですね。フィリップス社のI2C仕様書(PDF,784KB)で紹介されているわけでもありますし。

tag: LTspice レベルシフト インターフェース I2C 

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