スポンサーサイト

上記の広告は1ヶ月以上更新のないブログに表示されています。
新しい記事を書く事で広告が消せます。

AkaiKKRでリジッドバンド模型もどき

AkaiKKR(machikaneyama)では、コヒーレントポテンシャル近似(CPA)で不純物の効果を計算することができます。不純物の効果に関して、CPAよりも荒い近似としてよく使われるのがリジッドバンド模型です。今回は、あえて、AkaiKKRの入力ファイルのパラメータのひとつの pmix=0 としてリジッドバンド模型のような計算をホウ素ドープダイヤモンドに関して行ってみました。

Rigidband.png
Fig.1: ダイヤモンドとリジッドバンド模型もどきで計算したホウ素ドープダイヤモンドの状態密度



ホウ素ドープダイヤモンド


AkaiKKRでB(N)-dopedダイヤモンドでは、コヒーレントポテンシャル近似を用いて、ホウ素ドープダイヤモンドと窒素ドープダイヤモンドの状態密度の計算を行いました。その結果、状態密度の形状はドープによってほとんど変わらないものの、価電子の数が変化するためフェルミ準位の位置が変わり、金属・半導体転移が起こることが確認できました。計算にはコヒーレントポテンシャル近似(CPA)を用いましたが、この結果はリジッドバンド模型でもよく近似ができそうだと分かりました。そこで今回は、ホウ素ドープダイヤモンドの状態密度をリジッドバンド模型(のようなもの)で計算して、CPAの結果と比較します。

リジッドバンド模型もどき


リジッドバンド模型は、単純に状態密度の形状が変わらず、ドープによりフェルミエネルギーの位置が変わるだけとする近似です。従って、通常通りに純粋なダイヤモンドの第一原理計算を行った後に、得られた状態密度と積分状態密度の数値データからScilab等を使って、ドープ後のフェルミエネルギーの位置を計算するのが普通です。

しかし今回は、(このような方法にメリットがあるかは別問題として)異なる方法でリジッドバンド模型のような計算を行ってみます。

CCMSハンズオン AkaiKKR講習会 2014年7月30日のYoutube動画2:21:28あたりから入力ファイルのpmix=0とした場合に、ポテンシャルが更新されず、チャージニュートラリティーがゼロになるようにフェルミ準位だけが移動すると説明されています。今回はこれを利用します。

5%ホウ素をドープしたダイヤモンドの入力ファイル


下記に示すのが、ホウ素をドープしたダイヤモンドの計算を行うための入力ファイルです。

c------------------------------------------------------------
go data/B-doped
c------------------------------------------------------------
c brvtyp a c/a b/a alpha beta gamma
fcc 6.74 , , , , , ,
c------------------------------------------------------------
c edelt ewidth reltyp sdftyp magtyp record
0.001 2.0 sra vwnasa nmag 2nd
c------------------------------------------------------------
c outtyp bzqlty maxitr pmix
update 8 200 0.02
c------------------------------------------------------------
c ntyp
2
c------------------------------------------------------------
c type ncmp rmt field mxl anclr conc
C 2 1 0.0 2 6 95
6 5
Vc 1 1 0.0 2 0 100
c------------------------------------------------------------
c natm
4
c------------------------------------------------------------
c atmicx atmtyp
0.00000 0.00000 0.00000 C
0.25000 0.25000 0.25000 C
0.75000 0.75000 0.75000 Vc
0.50000 0.50000 0.50000 Vc
c------------------------------------------------------------

c------------------------------------------------------------
go data/B-doped
c------------------------------------------------------------
c brvtyp a c/a b/a alpha beta gamma
fcc 6.74 , , , , , ,
c------------------------------------------------------------
c edelt ewidth reltyp sdftyp magtyp record
0.001 2.0 sra vwnasa nmag 2nd
c------------------------------------------------------------
c outtyp bzqlty maxitr pmix
update 8 20 0.0
c------------------------------------------------------------
c ntyp
2
c------------------------------------------------------------
c type ncmp rmt field mxl anclr conc
C 2 1 0.0 2 6 95
5 5
Vc 1 1 0.0 2 0 100
c------------------------------------------------------------
c natm
4
c------------------------------------------------------------
c atmicx atmtyp
0.00000 0.00000 0.00000 C
0.25000 0.25000 0.25000 C
0.75000 0.75000 0.75000 Vc
0.50000 0.50000 0.50000 Vc
c------------------------------------------------------------


まず最初に、純粋なダイヤモンドの計算をしますが、炭素のコンポーネントをあらかじめ95%と5%のふたつに分けておきます。
これを収束された後に、同じポテンシャルファイルから続けて、ホウ素ドープダイヤモンドの計算を行います。

ホウ素ドープダイヤモンドのための入力では、あらかじめふたつに分けておいたコンポーネントの5%の方の原子番号を6(炭素)から5(ホウ素)へ変更します。更に、ポテンシャルを更新しないようにするためにpmix=0.0とします。

この状態で計算を実行すると、チャージニュートラリティーがゼロになるようにフェルミ準位が変化していきます。当然ながら通常の判定では収束しなくなるので、maxitrを小さく変更して適切なところで計算を打ち切るようにします。今回の例では20回程度で充分チャージニュートラリティーがゼロになるようです。

結果


純粋なダイヤモンドの状態密度とリジッドバンド模型もどきで計算した状態密度の比較をFig.1に示します。AkaiKKRでB(N)-dopedダイヤモンドのときと同様にフェルミ準位が元の価電子帯の内部まで移動していることがわかります。

B-doped-Compare.png
Fig.2: リジッドバンド模型もどきとCPAでそれぞれ計算したホウ素ドープダイヤモンドの状態密度


更にCPAの計算結果と直接比較しているのがFig.2です。CPAの結果は、不規則性の効果によって状態密度の鋭さが減じていますが、それ以外の形状はリジッドバンド模型もどきはよく再現しています。

関連エントリ




参考URL




参考文献/使用機器




フィードバック



にほんブログ村 その他趣味ブログ 電子工作へ

 ↑ 電子工作ブログランキング参加中です。1クリックお願いします。


コメント・トラックバックも歓迎です。 ↓      


 ↓ この記事が面白かった方は「拍手」をお願いします。
スポンサーサイト

tag: AkaiKKR machikaneyama KKR リジッドバンド模型 CPA 状態密度 DOS 半導体 

FC2カウンター
カテゴリ
ユーザータグ

LTspiceAkaiKKRmachikaneyamaScilabKKRPSoC強磁性CPAPICOPアンプecalj状態密度常微分方程式モンテカルロ解析odeトランジスタインターフェースDOS定電流PDS5022スイッチング回路半導体分散関係シェルスクリプトレベルシフト乱数HP6632A可変抵抗I2Cトランジスタ技術温度解析R6452Aブレッドボード数値積分確率論バンド構造バンドギャップセミナー反強磁性絶縁熱設計偏微分方程式非線形方程式ソルバA/Dコンバータフォトカプラカオス三端子レギュレータISO-I2CPWscfLM358GW近似シュミットトリガLEDマフィンティン半径数値微分サーボ発振回路TL431直流動作点解析USBカレントミラー補間PC817Cアナログスイッチ74HC4053VESTAbzqlty電子負荷イジング模型アセンブラQuantumESPRESSOLDAチョッパアンプBSch開発環境単振り子量子力学2ちゃんねるFFT基本並進ベクトル標準ロジックブラべ格子パラメトリック解析位相図キュリー温度ラプラス方程式繰り返し抵抗熱伝導スイッチト・キャパシタ状態方程式MaximaSMP失敗談gfortran六方最密充填構造コバルトTLP621不規則合金スピン軌道相互作用ランダムウォーク最適化ewidth相対論FETQSGWスレーターポーリング曲線VCA仮想結晶近似GGAcygwinQuantum_ESPRESSO条件分岐詰め回路NE555LM555固有値問題最小値ガイガー管QNAPUPSダイヤモンドマントルデータロガーゼーベック係数TLP552シュレディンガー方程式ZnO最大値CIF格子比熱xcrysdenMCUハーフメタル井戸型ポテンシャル三角波ブラウン運動フェルミ面awk差し込みグラフスーパーセルFXA-7020ZR過渡解析起電力fsolveOpenMPUbuntuWriter509テスタ熱力学第一原理計算TLP521ubuntu平均場近似自動計測CK1026MAS830LトランスPIC16F785フィルタAACircuitCapSense負帰還安定性ノコギリ波ナイキスト線図EAGLE2SC1815P-10PGAOPA2277MBELMC662入出力FSMTeX結晶磁気異方性非線型方程式ソルバ固定スピンモーメント全エネルギーmultiplotgnuplotc/aL10構造fcc等高線ジバニャン方程式ヒストグラム確率論正規分布初期値面心立方構造ウィグナーザイツ胞interp1合金半金属電荷密度重積分SIC二相共存磁気モーメント不純物問題cif2cellPWgui擬ポテンシャルウルツ鉱構造BaOquantumESPRESSOフォノンデバイ模型edeltリジッドバンド模型岩塩構造ルチル構造スワップ領域マテリアルデザインspecx.fフラクタルマンデルブロ集合キーボードRealforceクーロン散乱三次元疎行列縮退化学反応関数フィッティング最小二乗法Excel直流解析PCTS-110TS-112日本語パラメータ・モデル等価回路モデル文字列状態図熱拡散方程式HiLAPW両対数グラフ陰解法Crank-Nicolson法ifort境界条件連立一次方程式片対数グラフグラフの分割円周率ヒストグラム不規則局所モーメントGimpシンボル軸ラベル凡例線種トラックボール

最新コメント
リンク

にほんブログ村 その他趣味ブログ 電子工作へ
上記広告は1ヶ月以上更新のないブログに表示されています。新しい記事を書くことで広告を消せます。